2018年时，ASML的一位高管曾极为傲慢地宣称：“就算把图纸给中国，他们也没办法制造出光刻机。”可是，到了2025年3月25日，中国科学院对外宣告全固态深紫外（DUV）激光光源技术研发成功，该技术直接针对3nm芯片工艺需求。这一成果不但使ASML曾经的嘲讽变得十分可笑，而且意味着中国半导体产业开始正式向全球的技术垄断发起全方位挑战。

  全球芯片制造的重点是光刻机，而光源是光刻机的核心要素。ASML公司的DUV光刻机要依靠氟化氙准分子激光技术，这种技术借助复杂的气体混合方式产生193nm波长的紫外光。不过，该技术被两万多项专利所限制，并且能耗较高、维护起来也很繁杂。

  中科院的固态深紫外（DUV）光源开辟了新的途径：借助Yb:YAG晶体产生1030nm的红外激光，经由谐波转换与光学参量放大之后，最终混合出193nm的激光，并且体积变小了，能耗降低了70%，在不产生有毒气体的情形下，其光谱纯度和ASML的几乎一样。

  2. 环保节能方面：不需要氟气这类危险气体，从而削减污染，并降低对供应链的依赖。

  3. 性能参照：光谱纯度与ASML处于同一水平，可满足3nm工艺的需求。

  然而，其短处也是极为显著的：目前的输出功率仅有70mW（而ASML的输出功率为100 - 120瓦），频率为6kHz（ASML的频率是8k - 9kHz），还不能达到量产的要求。不过，固态技术在工程方面有着更大的优化空间——在不需要处理气体废料且结构得以简化之后，功率提升方面的瓶颈或许能够更迅速地被突破。

  在3纳米工艺的攻坚进程中：采用深紫外光（DUV）光刻技术，借助多重曝光手段，能够达成7纳米甚至3纳米的工艺技术要求。一旦中国达成该工艺的量产，那么极紫外光（EUV）光刻机所具有的“无法替代”的特性将会被直接弱化。

  产业链闭环：国产光刻机的双工件台、物镜系统、光刻胶等配套技术均已发展成熟，光源方面取得的突破弥补了最后一项短板。

  3. 成本方面的优势：固态深紫外光（DUV）在维护以及能耗方面的成本相对更低，或许会凭借价格战对台积电、三星的3纳米市场造成冲击。

  ASML的反应证实了威胁的存在。根据其2024年财报，中国大陆提供了36.1%的营业收入（101.95亿欧元），然而ASML预计在2025年之后会把在中国的市场占有率缩减到20%以下。

  与此同时，ASML在对华政策上处于摇摆状态——其一方面对北京维修中心进行升级以强化市场地位，另一方面却在美国的压力下停止了部分设备的维修服务，乃至限制向华为提供5nm芯片技术。这种矛盾状况彰显出其对中国技术崛起的担忧。

  虽说固态深紫外（DUV）光源技术已跨出关键的一步，不过距量产还有两大差距：

  工程化面临的挑战在于：功率和频率起码要提高两个数量级，并且要同国产光刻机的其他模块（例如物镜、对准系统）实现无缝对接。

  ASML正在加速对下一代高数值孔径（High - NA）极紫外光刻（EUV）技术的研发工作，这是由于全球竞争压力所致。其目标是到2030年达成440 - 600亿欧元的营业收入。

  令人振奋的是，中国技术路线所采用的“迂回策略”慢慢的开始取得初步成果。就拿日本佳能的纳米压印技术（NIL）来说，其成本较低，不过缺陷率却比较高；而中国的激光驱动等离子体（LDP）技术尽管在光源功率方面处于落后状态，却有着能够绕开掩膜版的灵活性。要是全固态DUV能够率先实现量产突破的话，中国非常有可能会成为全世界为数不多的同时拥有DUV和LDP这两条技术路线的国家。

  ASML的创立者曾经表示：“光刻机乃是物理学与资本相结合的产物，二者缺一不可。”然而，中国正在凭借制下的研发投入以及庞大的市场规模，去改变这一规则。从“无法依据图纸制造”发展到“开辟新的途径”，中国芯片的绝地反击印证了“封锁越厉害，突破越强劲”这一历史规律，现在就连ASML都发出这样的感慨：中国方面开始对EUV（极紫外光刻技术）关闭大门了。

  当然，我们并不倡导盲目地进行夸赞，这场“芯战”距离结束还相差甚远，到现在为止，ASML的EUV在5nm以下工艺方面依旧占据着主导地位，而国产DUV的突破仅仅是迈出的第一步。在未来，中国必须加快技术的更新换代，构建在全球供应链中的话语权，并且要在国际标准的制定过程中争取一席之地。

  你们觉得中国的芯片技术要过多久才能和国际上的巨头处在相同的水平呢？是全固态深紫外光刻（DUV）率先实现量产，还是激光直接成像（LDP）可以在一定程度上完成超越呢？欢迎在评论区发表你们的看法，一起见证“中国芯”突破困境的时刻！

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